Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3,страницы 302

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках

Т. Т. Мнацаканов^a, А. Г. Тандоев^a, М. Е. Левинштейн^b, С. Н. Юрков^a, J. W. Palmour^c

^a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c CREE Inc., 4600 Silicon Dr., Durham NC 27703, USA

Аннотация: Показано, что в легированном $n$-слое $p^+$–$n$–$n^+$-структур в условиях двойной инжекции при высоком уровне инжекции и определенном сочетании электрофизических параметров может произойти нарушение квазинейтральности с последующим ее восстановлением при увеличении плотности тока. Нарушение квазинейтральности влечет за собой заметное увеличение напряжения на базе, а последующее восстановление нейтральности – к резкому падению напряжения. В результате формируется $S$-образная вольт-амперная характеристика. Характерное значение пороговой плотности тока, при которой формируется участок $S$-образного сопротивления, пропорционально уровню легирования базы $N_d$.

Поступила в редакцию: 24.04.2012
Принята в печать: 06.06.2012