Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности самокомпенсации в твердых растворах Er$_x$Sn$_{1-x}$Se

Д. И. Гусейнов, М. И. Мургузов, Ш. С. Исмаилов

Азербайджанский государственный педагогический университет, Az-1000 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследовано влияние легирования и степени компенсации на энергию активации проводимости $\Delta E_i$ в Er$_x$Sn$_{1-x}$Se. В области слабого легирования при малых и умеренных компенсациях концентрации носителей тока уменьшаются. Выявлено, что, начиная с $x\ge$ 0.005 ат% Er, в исследуемых твердых растворах имеющая место смена знака носителей тока в зависимости от количества замещенного эрбия в образцах SnSe, находящихся в равновесии с фазой селена, может быть объяснена на основе представлений о самокомпенсации донорного действия в подрешетке олова.

Поступила в редакцию: 12.05.2012
Принята в печать: 06.06.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 323–326

Реферативные базы данных:

•