Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb

В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, Н. С. Потапович, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С помощью метода диффузии цинка из газовой фазы разработаны и изготовлены сильноточные фотоэлементы на основе антимонида галлия для использования в солнечных батареях и системах с расщеплением солнечного спектра при высоких кратностях концентрирования солнечного излучения, для термофотоэлектрических генераторов с высокой температурой эмиттера, а также для преобразования лазерной энергии. Исследовано влияние толщины диффузионного $p^+$-слоя на основные характеристики фотоэлемента. Определены оптимальный профиль легирования и глубина залегания $p$–$n$-перехода, обеспечивающие высокую эффективность фотоэлектрического преобразования при плотностях фототока вплоть до 100 A/cм$^2$.

Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 307–313

Реферативные базы данных:

•