Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов

П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний–сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90–150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке.

Поступила в редакцию: 06.08.2012
Принята в печать: 13.08.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 298–300

Реферативные базы данных:

•