Эта публикация цитируется в 9 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения

О. С. Комков^a, Д. Д. Фирсов^a, А. Н. Семенов^b, Б. Я. Мельцер^b, С. И. Трошков^b, А. Н. Пихтин^a, С. В. Иванов<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Реализован неразрушающий метод измерения толщин эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb на основе интерференционных эффектов в спектрах отражения, измеренных в широком диапазоне длин волн (1–28 мкм). Исследованные слои Al$_x$In$_{1-x}$Sb толщиной 0.9–3.3 мкм выращены на сильно рассогласованных по периоду решетки подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Полученные значения толщин продемонстрировали хорошее согласие с независимыми данными растровой электронной микроскопии. Спектральная зависимость показателя преломления $n(E)$ слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb измерена как в области прозрачности, так и в области фундаментального поглощения. Показатель преломления для случая $E<E_0$ рассчитывался по двухосцилляторной модели, с использованием уточненной экспериментальной зависимости энергии ширины запрещенной зоны от состава $E_0(x)$. Экспериментальные данные $n(E)$ Al$_x$In$_{1-x}$Sb для энергий $E>E_0$ получены на основе интерференционной картины.

Поступила в редакцию: 07.06.2012
Принята в печать: 18.06.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 292–297

Реферативные базы данных:

•