Эта публикация цитируется в 1 статье

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия

Н. А. Соболев^a, А. С. Лошаченко^b, Д. С. Полоскин^a, Е. И. Шек<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета

Аннотация: Параметры электрически активных центров, образующихся в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия в кремний в разных средах, исследовались методами Холла и емкостной спектроскопии. Установлено, что изменение удельного сопротивления в n-базе изготовленных структур с $p$–$n$-переходами контролируется образованием трех донорных уровней $Q1$, $E4$, $Q3$ с энергиями $E_c$ – 0.31, $E_c$ – 0.27 и $E_c$ – 0.16 эВ. После диффузии в хлорсодержащей атмосфере вводится только один уровень $E4$, но его концентрация меньше в 2.5 раза по сравнению с диффузией на воздухе. Значения энергии ионизации уровня $Q3$, измеренные в равновесных (эффект Холла) и неравновесных (емкостная спектроскопия) условиях, практически совпадают. Наиболее глубокий уровень $E1$ с энергией $E_c$ – 0.54 эВ, образующийся после диффузии в обеих средах, не оказывает влияния на значение удельного сопротивления в $n$-базе структур.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 289–291

Реферативные базы данных:

•