IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода

А. С. Лошаченко^a, О. Ф. Вывенко^a, Е. И. Шек^b, Н. А. Соболев<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии впервые исследованы электрически активные уровни в $p$-Cz-Si, имплантированном ионами кислорода и отожженном в хлорсодержащей атмосфере. Измерены температурные зависимости скорости термической эмиссии дырок с уровней в валентную зону, и исследовано влияние условий отжига на концентрацию образовавшихся уровней. Обнаруженные нами глубокие и мелкие уровни в образцах с дислокационной люминесценцией достаточно близки по своим параметрам к уровням, ранее наблюдавшимся в образцах с протяженными дефектами, полученных различными методами (деформация, образование кислородных преципитатов и прямое сращивание пластин). Некоторые отличия в этих параметрах обусловлены изменениями полей напряжений от протяженных дефектов, обусловленными конкретными технологическими условиями их формирования.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 285–288

Реферативные базы данных:

•