Эта публикация цитируется в 27 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Туннельные полевые транзисторы на основе графена

Д. А. Свинцов^a, В. В. Вьюрков^a, В. Ф. Лукичёв^a, А. А. Орликовский^a, А. Буренков^b, Р. Охснер<sup>b

a</sup> Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН
^b Институт интегральных схем общества Фраунгофера, 91058 Эрланген, Германия

Аннотация: Отсутствие закрытого состояния в транзисторах на основе графена является основным препятствием на пути к их использованию в цифровых схемах. Недавно было сообщено о создании туннельного транзистора на графене с низким током закрытого состояния; однако управление проводимостью канала с помощью затвора в данном приборе было неэффективным. Мы предлагаем новую конструкцию туннельного транзистора на графене, в которой ток экспоненциально зависит от напряжения на затворе, а подпороговая крутизна приближается к термоэмиссионному пределу. Особенностью транзистора является наличие полупроводникового (или диэлектрического) туннельного зазора в канале. Характеристики транзистора наследуют низкий ток закрытого состояния, свойственный полупроводниковым каналам, и высокий ток открытого состояния, свойственный графену.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 279–284

Реферативные базы данных:

•