Эта публикация цитируется в 3 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния

А. С. Бондаренко, О. Ф. Вывенко, И. А. Исаков

Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Локальные энергетические уровни, обусловленные дислокациями на интерфейсе сращённых пластин кремния $n$- и $p$-типа проводимости, исследованы методами DLTS, а также новым методом детектирования примесной люминесценции, стимулированной заполнением электронных состояний (Pulsed-TREL) электрическими импульсами. Установлено, что за полосу $D1$ дислокационной люминесценции как в $n$-, так и в $p$-образцах ответственны только мелкие уровни дислокационной сетки с энергиями активации около $\sim$ 0.1 эВ. Заполнение глубоких уровней не оказывает влияния на интенсивность полосы $D1$. Предложена модель парных нейтральных центров захвата носителей, объясняющая разницу между энергетическим положением полосы $D1$ (0.8 эВ) и межуровневым энергетическим расстоянием (0.97 эВ) кулоновским взаимодействем между захваченными на них носителями.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 259–263

Реферативные базы данных:

•