Эта публикация цитируется в 13 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий

К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Экспериментально исследовано образование структурных нарушений в кремнии при его облучении атомарными и молекулярными ионами при комнатной температуре в широком диапазоне энергий. Во всех случаях вблизи поверхности проявляется сильный молекулярный эффект, обусловленный перекрытием каскадов смещений, создаваемых атомами, составлявшими молекулу. Теоретические оценки глубин, на которых могут играть роль различные нелинейные процессы, неплохо согласуются с экспериментальными данными. Расчеты также показали, что роль нелинейных энергетических пиков уменьшается с ростом энергии иона.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 242–246

Реферативные базы данных:

•