RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 199–205 (Mi phts7825)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии

К. А. Ковалевскийa, Р. Х. Жукавинa, В. В. Цыпленковa, В. Н. Шастинa, Н. В. Абросимовb, Г. Риманb, С. Г. Павловc, Г.-В. Хьюберсc

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт роста кристаллов им. Лейбница, 12489 Берлин, Германия
c Институт исследования планет, DLR, 12489 Берлин, Германия

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эффектов терагерцового стимулированного излучения доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк, висмут) в одноосно-деформированном кремнии при их оптическом возбуждении излучением CO$_2$-лазера. Показано, что одноосная деформация сжатия кристалла в направлении [100] увеличивает коэффициент усиления и эффективность стимулированного излучения, значительно снижая пороговую интенсивность накачки. Измерены частоты и идентифицированы рабочие переходы доноров в деформированном кремнии. Дается теоретическая оценка зависимости разностной населенности рабочих состояний доноров от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении [100].

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 235–241

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026