RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 195–198 (Mi phts7824)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии

О. В. Феклисоваa, X. Yub, D. Yangb, Е. Б. Якимовa

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b Государственная ключевая лаборатория кремниевых материалов, Чжэцзянский университет, 310027 Ханьжоу, Китай

Аннотация: Методом наведенного тока исследовано влияние атомов железа, меди и никеля, введенных при высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций в мультикристаллическом кремнии. Показано, что влияние всех трех примесей качественно одинаково. Рекомбинационная активность дислокаций остается ниже предела обнаружения в режиме наведенного тока как в исходных образцах, так и после диффузии переходных металлов. Такое поведение дислокаций объясняется в предположении, что дислокации уже в исходных образцах насыщены примесями.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 232–234

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026