Эта публикация цитируется в 13 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами

О. В. Феклисова^a, Н. А. Ярыкин^a, J. Weber<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^b Technische Universität Dresden, 01062 Dresden, Germany

Аннотация: Кинетика отжига пар B$_i$O$_i$, созданных облучением быстрыми электронами, изучается в пластинах кремния, выращенных методом Чохральского, с разным уровнем легирования бором. Обнаружено, что скорость отжига при фиксированной температуре монотонно увеличивается с ростом концентрации бора. Результаты описываются простой моделью, которая принимает во внимание взаимодействие межузельного бора с атомами кислорода и узельного бора. На основе этой модели вычислена температурная зависимость скорости диссоциации комплекса B$_i$O$_i$.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 228–231

Реферативные базы данных:

•