Эта публикация цитируется в 9 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Radiation effects in Si–Ge quantum size structures (review)

N. A. Sobolev

Departamento de Fisica & I3N, Universidade de Aveiro, 3810-193, Aveiro, Portugal

Аннотация: The article is dedicated to the review and analysis of the effects and processes occurring in Si–Ge quantum size semiconductor structures upon particle irradiation including ion implantation. Comparisons to bulk materials are drawn. The reasons of the enhanced radiation hardness of superlattices and quantum dots are elucidated. Some technological applications of the radiation treatment are reviewed.

Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

Язык публикации: английский

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 217–227

Реферативные базы данных:

•