RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 147–167 (Mi phts7818)

Эта публикация цитируется в 41 статьях

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Излучение кремниевых нанокристаллов. Обзор

О. Б. Гусев, А. Н. Поддубный, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены основные экспериментальные результаты, полученные при исследовании фотолюминесценции кремниевых нанокристаллов, и теоретические методы, развитые для описания оптических процессов в них. Основное внимание уделено кремниевым нанокристаллам в матрице SiO$_2$, для которых выполнено наибольшее число работ. Подробно представлены два основных теоретических метода – многозонный метод эффективной массы и метод сильной связи, нашедшие широкое применение для моделирования различных процессов в наноструктурах. Описана также феноменологическая модель для экситона, автолокализованного на поверхности окисленного нанокристалла кремния, которая была недавно построена на основе экспериментальных результатов, полученных с помощью техники фемтосекундной спектроскопии.

Поступила в редакцию: 25.06.2012
Принята в печать: 28.06.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:2, 183–202

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026