Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения

В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основе гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs созданы лазерные диоды с встроенной глубокой дифракционной решеткой трапециевидной формы с большим периодом. Исследованы спектры электролюминесценции и стимулированного излучения, а также ватт-амперные характеристики лазерных диодов с дифракционной решеткой. Благодаря спектральной селективности дифракционной решетки достигнуто значительное сужение спектров и люминесценции, и стимулированного излучения. Максимальная выходная оптическая мощность составила 1 Вт при токе накачки 4 А. При максимальной мощности спектр генерации имел полуширину, равную $\sim$ 2 $\mathring{\mathrm{A}}$. Продемонстрировано сужение в десятки раз спектра генерации лазера с дифракционной решеткой по сравнению с спектром генерации лазера с резонатором Фабри–Перо.

Поступила в редакцию: 10.05.2012
Принята в печать: 21.05.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 122–126

Реферативные базы данных:

•