Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре

В. С. Юферев^a, М. Е. Левинштейн^a, J. W. Palmour<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b CREE Inc., 4600 Silicon Dr., Durham NC 27703, USA

Аннотация: Развита численная модель, позволившая проанализировать особенности стационарного распределения носителей и характер тока удержания для осесимметричного случая, характерного для оптического включения мощных SiC-фототиристоров. Проведено сравнение плоской и осесимметричной модели. Проанализирован относительный вклад полевого и диффузионного механизмов распространения включенного состояния. Показано, что в SiC-тиристорах диффузионный механизм распространения не вносит существенного вклада в стационарное распределение носителей и основным механизмом является полевой механизм. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с первыми экспериментальными результатами по исследованию тока удержания в SiC-фототиристорах.

Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 20.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 116–121

Реферативные базы данных:

•