П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, “Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1,страницы 83

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки

П. А. Иванов^a, Н. Д. Ильинская^a, А. С. Потапов^a, Т. П. Самсонова^a, А. В. Афанасьев^b, В. А. Ильин^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследовано влияние быстрого термического отжига (температура 600–800$^\circ$C, длительность 2 мин) на прямые вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки. В качестве металла контактов Шоттки использовались вольфрам, никель, хром и молибден, осажденные электронно-лучевым напылением в вакууме. Для разных металлов обнаружен разный характер влияния термообработки на высоту барьера и на разброс параметров контактов, характеризующий степень их однородности.

Поступила в редакцию: 04.06.2012
Принята в печать: 11.06.2012