RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 65–67 (Mi phts7804)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптическая резонансная идентификация дальнего туннелирования электронов между уровнями сверхрешетки в электрическом поле

А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Предложен способ диагностики взаимодействия электронных состояний в многослойных гетероструктурах в постоянном электрическом поле. В основе методики лежит измерение резонансного отклика амплитуды гармоники тока в гетероструктуре на воздействие модулированного лазерного излучения. В настоящей работе метод продемонстрирован при исследовании туннелирования между уровнями Ванье–Штарка в сверхрешетке с сильно связанными квантовыми ямами.

Поступила в редакцию: 16.05.2012
Принята в печать: 31.05.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 63–65

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026