Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN c множественными квантовыми ямами

М. В. Барановский, Г. Ф. Глинский, М. С. Миронова

Санкт-Петербургский государственный университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы зависимости фототока гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами от обратного смещения. Обнаружены характерные особенности, связанные с последовательным прохождением границы области объемного заряда через квантовые ямы исследуемой структуры. Экспериментально показано, что для каждой квантовой ямы существует область обратных смещений с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая исчезает при увеличении энергии фотонов оптического возбуждения. Предполагается, что этот эффект обусловлен смещением края оптического поглощения в квантовой яме, которое происходит при частичной компенсации пьезоэлектрического поля в области квантовой ямы электрическим полем $p$–$n$-перехода.

Поступила в редакцию: 15.05.2012
Принята в печать: 21.05.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 58–62

Реферативные базы данных:

•