Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям

В. Ф. Агекян^a, А. Ю. Серов^a, Н. Г. Философов^a, G. Karczewski<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
^b Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02-668 Warsaw, Poland

Аннотация: Исследована низкотемпературная люминесценция структур с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными ширинами квантовых ям и концентрациями марганца при плотностях мощности оптического возбуждения 10$^4$–10$^6$ Вт/см$^2$. В результате насыщения нижайшего возбужденного состояния $^4T_1$ 3$d$-оболочки марганца становятся актуальными переходы в более высокие состояния, вследствие чего внутрицентровая люминесценция ионов Mn$^{2+}$ деградирует при высоких уровнях возбуждения. Одновременно происходит зависящее от температуры насыщение основной полосы $e1hh1$ излучения экситонов квантовой ямы и появление полосы $e2hh2$. По мере усиления оптического возбуждения изменяется форма контура внутрицентровой люминесценции ионов Mn$^{2+}$, что связано с более быстрым насыщением возбужденных состояний интерфейсных ионов. Для структур CdMnTe/CdMgTe установлено влияние ширины квантовых ям и концентрации марганца на распределение интенсивности излучения между экситонами квантовой ямы, экситонами барьера и 3$d$-оболочкой Mn$^{2+}$.

Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:1, 45–49

Реферативные базы данных:

•