Физика и техника полупроводников,
2025, том 59, выпуск 3,страницы 165–170(Mi phts7791)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Выявление условий формирования глубоких состояний дислокаций несоответствия и DX-центров в гетероэпитаксиальных слаболегированных Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs-слоях
Аннотация:
Методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследованы высоковольтные плавные $p^0$–$i$–$n^0$-переходы Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$ с максимальным содержанием $x$ от 0.15 до 0.6 и $y$ до 0.02, полученные методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Установлено, что эффективной рекомбинационной ловушкой в гетероэпитаксиальных слоях Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs и Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs с $x$ более 0.23, независимо от содержания сурьмы, является DX-центр фоновых донорных примесей Si, Se или Te, при этом в данных гетероструктурах отсутствовали глубокие уровни, связанные с дислокациями. В гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs с $x\sim$ 0.15–0.19 и $y\sim$ 0.02 и GaAs$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs с $y\sim$ 0.02 эффективной рекомбинационной ловушкой является глубокий уровень HD3, связанный с дислокациями несоответствия.
Полный текст:
PDF файл (226 kB)