Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe

В. А. Швец^a, Д. В. Марин^bc, И. А. Азаров^a, М. В. Якушев<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Специализированный учебно-научный центр Новосибирского государственного университета, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: При молекулярно-лучевой эпитаксии существует два механизма нагрева подложки: теплопроводность и тепловое излучение. В работе рассматривается вклад лучистого нагрева в установление температуры образца в процессе эпитаксии слоя CdHgTe. На начальной стадии роста меняется излучательная способность структуры и нарушается тепловой баланс. Численными расчетами показано, что в отсутствие теплового контакта между образцом и нагревателем это должно приводить к значительному возрастанию равновесной температуры структуры. Рассчитана динамика изменения температуры при непрерывном росте слоя CdHgTe. Из этих расчетов следует, что остаточное изменение температуры будет наблюдаться также и после прекращения роста. Эксперименты, проведенные на спектральном эллипсометре, не обнаружили ожидаемых изменений температуры. Из этого сделан вывод, что в установках типа “Обь”, когда образец находится в механическом контакте с нагретой графитовой шайбой, излучательный механизм нагрева не является доминирующим.

Ключевые слова: излучательный нагрев, спектр поглощения, температура поверхности роста, тепловой контакт, кадмий-ртуть-теллур, эллипсометрия.

Поступила в редакцию: 29.04.2025
Исправленный вариант: 04.07.2025
Принята в печать: 04.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.03.61094.7916