RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 3, страницы 150–152 (Mi phts7788)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние плотности энергии высокоинтенсивного пучка ионов титана на накопление и диффузию в кремнии

А. И. Иванова, О. С. Корнева, И. А. Божко, С. В. Дектярев, А. В. Гурулев

Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Методом синергии высокоинтенсивной имплантации и одновременного энергетического воздействия пучка ионов титана с плотностью тока 1.6 А/см$^2$ на поверхность кремния сформированы ионно-легированные слои толщиной до 2.6 мкм. Представлены результаты закономерностей накопления титана в кремнии от длительности и частоты импульсов при фиксированной плотности мощности ионного пучка 9.6 $\cdot$ 10$^4$ Вт/см$^2$. Методом электронной оже-спектроскопии получены распределения примеси по глубине модифицированного слоя. Рентгенофазовый анализ показал наличие фаз дисилицида титана TiSi$_2$, силицид титана TiSi.

Ключевые слова: синергия высокоинтенсивной имплантации и энергетического воздействия, плотность энергии, диффузия, титан, кремний.

Поступила в редакцию: 07.05.2025
Исправленный вариант: 18.06.2025
Принята в печать: 02.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.03.61093.8135



© МИАН, 2026