Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)

Е. А. Климов^a, А. Н. Виниченко^ab, И. С. Васильевский^ab, А. Н. Клочков^ab, С. С. Пушкарев^c, И. Д. Бурлаков<sup>a

a</sup> АО НПО "Орион", 111538 Москва, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
^c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 117105 Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты роста пленок CdTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах на нелегированных полуизолирующих подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100), без зародышевого слоя. Подготовка атомарно-чистой поверхности подложки с дальнейшим синтезом пленок GaAs и CdTe проводилась в единой сверхвысоковакуумной системе с in situ контролем методами дифракции быстрых электронов на отражение и пирометрии. С помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, спектроскопии фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии изучено влияние температуры роста на структурное качество эпитаксиальных пленок CdTe. Показано, что синтезированные эпитаксиальные пленки CdTe имеют преимущественную кристаллографическую ориентацию (111) с двойникованием, при этом их кристаллическое качество монотонно улучшается при повышении ростовой температуры подложки до 450$^\circ$C.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, CdTe, теллурид кадмия, дефекты двойникования, монокристалл.

Поступила в редакцию: 06.03.2025
Исправленный вариант: 05.06.2025
Принята в печать: 19.06.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.03.61092.7673