Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Ru

В. А. Ромака^ab, P. Rogl^c, В. В. Ромака^b, Ю. В. Стаднык^d, Р. О. Корж^b, В. Я. Крайовский^b, А. М. Горынь<sup>d

a</sup> Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, 79060 Львов, Украина
^b Национальный университет ``Львовская политехника'', 79013 Львов, Украина
^c Институт физической химии Венского университета, A-1090 Вена, Австрия
^d Львовский национальный университет им. И. Франко, 79005 Львов, Украина

Аннотация: Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические и кинетические характеристики полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Ru, в диапазонах температур $T$ = 80–400 K, концентраций Ru $N_A^{\mathrm{Ru}}\approx$ 9.5 $\cdot$ 10$^{19}$–5.7 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0–0.03). Установлен механизм генерирования структурных дефектов, приводящий к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении концентрации и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения $\sim$1% атомов Ni из позиций Hf (4$a$), генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni в позициях 4$c$ атомами Ru и генерировании дефектов донорной природы в виде вакансий в позиции Sn (4$b$). Результаты расчета электронной структуры HfNi$_{1-x}$Ru$_x$Sn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.

Поступила в редакцию: 17.03.2014
Принята в печать: 22.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:12, 1545–1551

Реферативные базы данных:

•