Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs

В. Н. Неведомский^a, Н. А. Берт^a, В. В. Чалдышев^ab, В. В. Преображенский^c, М. А. Путято^c, Б. Р. Семягин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих массивы полупроводниковых квантовых точек InAs и металлических квантовых точек As. Массив квантовых точек InAs формировался по механизму Странского–Крастанова и состоял из 5 слоев вертикально сопряженных квантовых точек, разделенных спейсером GaAs толщиной 5 нм. Массив квантовых точек As формировался в обогащенном мышьяком слое GaAs, выращенном при низкой температуре поверх массива квантовых точек InAs, путем постростовых отжигов при температурах 400–600$^\circ$C в течение 15 мин. Обнаружено, что в процессе выращивания структуры вблизи квантовых точек InAs образуются дефекты несоответствия, представляющие собой 60-градусные или краевые дислокации, лежащие в плоскостях гетероинтерфейса полупроводниковых квантовых точек и прорастающие к поверхности сквозь слой “низкотемпературного” GaAs. Наличие таких дефектов структуры приводит к формированию квантовых точек As вблизи середины сопряженных квантовых точек InAs за пределами слоя “низкотемпературного” GaAs.

Поступила в редакцию: 24.04.2014
Принята в печать: 12.05.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1539–1543

Реферативные базы данных:

•