Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния

М. Г. Мынбаева^a, А. А. Головатенко^ab, А. И. Печников^b, А. А. Лаврентьев^a, К. Д. Мынбаев^ac, В. И. Николаев<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b ООО "Совершенные кристаллы", 194064 Санкт-Петербург, Россия
^c Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы особенности выращивания гетерокомпозиции GaN/AlN/Si, в которой слои нитридов элементов III группы выращены на кремниевой подложке методом хлорид-гидридной эпитаксии. Рассмотрено влияние температуры выращивания буферного слоя AlN на диффузионные процессы на гетерограницах и на качество выращиваемых эпитаксиальных слоев. Показано, что при используемом методе эпитаксии буферный слой должен выращиваться при высоких температурах (1080$^\circ$C), поскольку при этом минимизируется толщина области перемешивания компонентов и формируются резкие границы раздела в гетерокомпозиции GaN/AlN/Si. Двухстадийное выращивание нитрида галлия на высокотемпературном буферном слое AlN толщиной 300–400 нм позволяет получать слои GaN толщиной до 0.3 мкм без образования трещин.

Поступила в редакцию: 21.04.2014
Принята в печать: 28.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1535–1538

Реферативные базы данных:

•