Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Зависимость скорости роста слоя AlN от величины зазора между источником и подложкой при сублимационном методе выращивания

А. А. Вольфсон

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В предлагаемой работе, посвященной изучению условий роста толстых слоев и объемных кристаллов АlN в сублимационном сандвич-методе, впервые для этого материала экспериментально получены зависимости скорости роста слоя от величины зазора источник-подложка для двух значений давления азота в реакторе: 0.3 и 0.6 бар. Полученные результаты указывают на то, что основным механизмом переноса компонентов источника на подложку является диффузия. Вклад кинетических эффектов становится заметным при минимальном зазоре 0.3 мм, особенно при меньшем давлении азота, 0.3 бар.

Поступила в редакцию: 01.04.2014
Принята в печать: 22.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1532–1534

Реферативные базы данных:

•