П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, А. С. Леньшин, А. Д. Бондарев, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11,страницы 1564

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)

П. В. Середин^a, Д. Л. Голощапов^a, А. Н. Лукин^a, А. С. Леньшин^a, А. Д. Бондарев^b, И. Н. Арсентьев^b, Л. С. Вавилова^b, И. С. Тарасов^b

^a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами структурного анализа и оптической спектроскопии исследованы свойства ультратонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных на установке ионно-плазменного распыления. Удалось показать, что используемый технологический метод позволяет получать аморфные, гладкие, ультратонкие пленки, беспористые и практически однородные, с зарождающимися в них кристаллами $\alpha$-фазы оксида алюминия Al$_2$O$_3$. При этом пленки отлично пропускают оптическое излучение в инфракрасном, видимом, ультрафиолетовом диапазонах и потенциально значимы для создания на их основе просветляющих покрытий зеркал мощных полупроводниковых лазеров на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$.

Поступила в редакцию: 20.03.2014
Принята в печать: 28.03.2014