Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния

О. С. Кен^a, Д. А. Андроников^a, Д. А. Явсин^a, А. В. Кукин^a, С. Н. Данилов^b, А. Н. Смирнов^a, О. М. Сресели^a, С. А. Гуревич<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт Петербург, Россия
^b Регенсбургский университет, 93053 Регенсбург, Германия

Аннотация: Исследованы спектральные характеристики фотоответа гетероструктур со слоями плотноупакованных аморфных наночастиц кремния, полученных методом лазерного электродиспергирования. Структуры характеризуются выпрямляющими свойствами. Отжиг на воздухе приводит к появлению в слоях наночастиц оксида кремния, кроме того, происходит частичная кристаллизация наночастиц. Спектральные характеристики фотоответа гетероструктур обладают рядом особенностей. По сравнению со стандартными кремниевыми фотодиодами спектр чувствительности исследованных структур сдвинут в коротковолновую область, причем сдвиг увеличивается после отжига. Структуры с отожженным слоем наночастиц обладают чувствительностью в области 350–600 нм, более чем на порядок превышающей чувствительность неотожженных структур. Этот эффект может быть связан с транзисторным усилением в структуре.

Поступила в редакцию: 10.06.2014
Принята в печать: 18.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1518–1524

Реферативные базы данных:

•