Физика полупроводниковых приборов

Планарный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний–вакансия люминесцентными алмазными частицами в активном слое

С. А. Грудинкин^ab, Н. А. Феоктистов^ab, А. В. Медведев^a, А. А. Дукин^a, В. Г. Голубев<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Планарный гибридный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний–вакансия (Si–V) изолированными алмазными частицами в активном слое изготовлен методами плазмохимического газофазного осаждения. Распределенные брэгговские отражатели получены на основе чередующихся четвертьволновых слоев $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H и $a$-SiO$_2$. Центры окраски контролируемо вводились из газовой фазы в процессе роста алмазных частиц. В микрорезонаторе достигнуто сужение до 5 нм бесфононной линии на длине волны 738 нм и подавление фононного крыла в спектре фотолюминесценции центров окраски Si–V.

Поступила в редакцию: 08.04.2014
Принята в печать: 28.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1507–1511

Реферативные базы данных:

•