Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах $n$-TiN/$p$-Si

М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Получены фоточувствительные гетероструктуры $n$-TiN/$p$-Si методом реактивного магнетронного распыления. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{\mathrm{oc}}$ = 0.4 B и ток короткого замыкания $I_{\mathrm{sc}}$ = 1.36 мА/см$^2$ при освещении 80 мВт/см$^2$. Из анализа освещенной ВАХ и спектра квантовой эффективности установлено, что низкие фотоэлектрические параметры обусловлены рекомбинацией в базовой области гетероперехода и формированием высокоомного слоя SiO$_2$ на поверхности поликристаллического кремния, который не обеспечивает качественной пассивации поверхностных состояний.

Поступила в редакцию: 27.03.2014
Принята в печать: 22.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1504–1506

Реферативные базы данных:

•