Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Газочувствительные слои на основе фрактально-перколяционных структур

В. А. Мошников^ab, С. С. Налимова^a, Б. И. Селезнев<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия

Аннотация: Разработана модель чувствительных слоев со “встроенной” структурой перколяционного кластера вблизи порога протекания. Показано, что при взаимодействии таких газочувствительных слоев с восстанавливающими газами значение газочувствительности может на несколько порядков превышать типичные значения. Рассмотрены особенности изменения импедансного отклика перколяционных структур вблизи порога протекания на воздухе и при воздействии восстанавливающих газов.

Поступила в редакцию: 12.03.2014
Принята в печать: 26.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1499–1503

Реферативные базы данных:

•