Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне

К. В. Маремьянин^ab, Д. И. Крыжков^ab, С. В. Морозов^ab, С. М. Сергеев^a, Д. И. Курицын^a, Д. М. Гапонова^a, В. Я. Алешкин^ab, Ю. Г. Садофьев<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Выполнено исследование фотолюминесценции с временным разрешением квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs в условиях мощного импульсного возбуждения, которое дало возможность в начальные моменты времени после возбуждения наблюдать особенности на спектре фотолюминесценции, соответствующиe как переходам между основными, так и между возбуждeнными состояниями двух туннельно-связанных ям, которые не видны при интегральных измерениях спектров фотолюминесценции. Показано, что высокий уровень накачки приводит к сильному разогреву электронного газа в начальный момент времени, что и позволяет наблюдать межзонные переходы не только между основными, но и между возбужденными состояниями. Характерное время остывания неравновесных носителей составляло $\sim$125 пс.

Поступила в редакцию: 14.04.2014
Принята в печать: 22.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1463–1466

Реферативные базы данных:

•