Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности

А. М. Надточий^abc, А. С. Паюсов^ab, М. В. Максимов^abc, А. Е. Жуков^abc, О. И. Симчук<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c ООО "Солар Дотс", 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Продемонстрирована возможность формирования многослойных (30 рядов) массивов квантовых точек InAs/GaAs с высоким структурным и оптическим качеством при малых толщинах спейсера (30–15 нм). В случае уменьшения толщины спейсера до 15 нм наблюдается значительная поляризация излучения, что говорит об электронном связывании отдельных квантовых точек за счет туннелирования.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1452–1455

Реферативные базы данных:

•