Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Электрические свойства FeGa$_2$Se$_4$ на переменном токе

Н. Н. Нифтиев^a, О. Б. Тагиев^a, М. Б. Мурадов^b, Ф. М. Мамедов<sup>c

a</sup> Азербайджанский государственный педагогический университет, Аз-1000 Баку, Азербайджан
^b Бакинский Государственный Университет, Аз-1148 Баку, Азербайджан
^c Институт проблемы химии Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa$_2$Se$_4$ на переменном токе. Определены значения диэлектрической проницаемости. Предположено, что возрастание $\varepsilon'$ связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. Установлено, что в температурном интервале 294 – 374 K при частотах 10$^4$ – 2 $\cdot$ 10$^5$ Гц для электропроводности выполняется закономерность $\sigma\propto f^S$ (0.1 $\le S\le$ 1.0). B кристалле FeGa$_2$Se$_4$ изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в кристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. В соединении FeGa$_2$Se$_4$ проводимость характеризуется зонно-прыжковыми механизмами.

Поступила в редакцию: 13.03.2014
Принята в печать: 28.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1434–1437

Реферативные базы данных:

•