Электронные свойства полупроводников

Методы оценки концентрации компенсирующей примеси в германии, легированном ртутью

В. Ф. Банная

Московский государственный гуманитарный университет им. М. А. Шолохова (факультет точных наук и инновационных технологий), 109240 Москва, Россия

Аннотация: На основании анализа результатов измерений постоянной Холла и подвижности в широком диапазоне температур в образцах германия, легированного ртутью, предложены методы оценки концентрации компенсирующей примеси из участков кривых, соответствующих температурам $T>$ 50 K. Делается вывод, что в указанном интервале температур локальные образования ртути в матрице образца ионизованы и оба метода применимы вне зависимости от химической природы примеси.

Поступила в редакцию: 17.12.2013
Принята в печать: 24.01.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:11, 1408–1410

Реферативные базы данных:

•