Физика полупроводниковых приборов

Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора $p^+$-Si/нано-SiO$_2$/$n^+$-Si

Г. Г. Карева^a, М. И. Векслер<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, 198504 Санкт-Петербург, Старый Петергоф, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В целях демонстрации расширения функциональных возможностей простейшего конденсатора металл–окисел–полупроводник рассматривается структура с гетеропереходом $p^+$-Si/нано-SiO$_2$, в которой металлический электрод заменен сильно вырожденным $n^+$-Si. В результате получается туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором, потенциально превосходящий соответствующий диод Эсаки по своим электрическим характеристикам, управляемым не только уровнем легирования, но и толщиной SiO$_2$.

Поступила в редакцию: 17.12.2013
Принята в печать: 13.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1381–1384

Реферативные базы данных:

•