RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1409–1415 (Mi phts7728)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния

А. В. Медведевa, Н. А. Феоктистовab, С. А. Грудинкинab, А. А. Дукинa, В. Г. Голубевab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены планарные микрорезонаторы Фабри–Перо с излучающим на границе видимого и инфракрасного диапазонов спектра активным слоем. Микрорезонаторы состоят из активного слоя $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H с повышенным содержанием углерода и распределенных брэгговских отражателей из чередующихся неизлучающих слоев $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H/$a$-SiO$_2$. Активный слой и распределенные брэгговские отражатели выращены в едином технологическом цикле. Благодаря высокому оптическому контрасту и малому поглощению слоев распределенных брэгговских отражателей достигнута большая добротность микрорезонаторов ($Q$ = 316) и высокая степень направленности излучения из микрорезонаторов при трех парах слоев в распределенных брэгговских отражателях. Интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре оказывается на 2 порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения идентичного слоя $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H без распределенных брэгговских отражателей. Из сопоставления экспериментальных и рассчитанных методом матриц переноса с учетом дисперсии вещественной и мнимой частей показателя преломления $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H спектров пропускания сделана оценка степени систематического отклонения толщин слоев в распределенных брэгговских отражателях и определена верхняя граница коэффициента поглощения в слоях $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H.

Поступила в редакцию: 27.02.2014
Принята в печать: 11.03.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1374–1380

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026