Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом

Д. И. Биленко, В. В. Галушка, Э. А. Жаркова, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин, Е. И. Хасина

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия

Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом (SiMP : Fe). Показано, что эти свойства зависят от концентрации железа неоднозначно. В случае образца с токами, ограниченными пространственным зарядом (ТОПЗ), при освещении происходит изменение механизма токопереноса в гетероструктуре Al-SiMP : Fe-$p$-Si-Al от ТОПЗ в темноте к барьерному типу при освещении. Пассивация железом концентрацией 0.1–0.2 ат% стабилизирует не только электрофизические, но и фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур. Дальнейшее увеличение концентрации Fe приводит к образованию новых ловушек, вызванных появлением окислов железа и кремния, что приводит к нестабильности свойств. Структуры в области малой освещенности имеют высокую фоточувствительность. Напряжение открытой цепи составляет 16 мВ при мощности излучения АМ-1 $\approx$ 2 мВт/см$^2$.

Поступила в редакцию: 09.01.2014
Принята в печать: 11.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1370–1373

Реферативные базы данных:

•