RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1383–1387 (Mi phts7723)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Предельно короткий электромагнитный импульс в сверхрешетке с учетом неднородности поля вдоль ее оси

Э. Г. Федоровa, Н. Н. Конобееваb, М. Б. Белоненкоc

a Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет, 400074 Волгоград, Россия
b Волгоградский государственный университет, 400062 Волгоград, Россия
c Волгоградский институт бизнеса, 400048 Волгоград, Россия

Аннотация: Исследовано распространение двумерного электромагнитного импульса в полупроводниковой сверхрешетке. Впервые учтена неоднородность поля импульса вдоль оси сверхрешетки. Эволюция электромагнитного поля и плотности заряда в образце описана с помощью системы уравнений Максвелла и уравнения непрерывности. В результате численного моделирования показана возможность распространения двумерного электромагнитного импульса в сверхрешетке. Установлено, что распространение электромагнитного импульса приводит к перераспределению концентрации электронов в образце.

Поступила в редакцию: 13.02.2014
Принята в печать: 18.03.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1348–1352

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026