Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs

Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, А. Д. Бондарев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано явление температурной делокализации в полупроводниковых лазерах на основе симметричных и асимметричных гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения $\lambda$ = 1060 нм). Экспериментальные и расчетные оценки показывают, что концентрация носителей заряда в волноводе возрастает на порядок при увеличении температуры полупроводникового лазера на $\sim$ 100$^\circ$С. Установлено, что рост температуры активной области ведет к усилению температурной делокализации как электронов, так и дырок. Показано, что делокализация дырок начинается при более высоких температурах, чем делокализация электронов. Экспериментально установлено, что начало температурной делокализации зависит от пороговой концентрации носителей заряда в активной области лазера при комнатной температуре. Установлено, что увеличение энергетической глубины активной области посредством выбора материала волновода позволяет полностью подавить процесс температурной делокализации вплоть до 175$^\circ$С.

Поступила в редакцию: 25.02.2014
Принята в печать: 11.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1342–1347

Реферативные базы данных:

•