Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами

В. П. Попов^a, М. А. Ильницкий^a, О. В. Наумова^a, А. Н. Назаров<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина

Аннотация: Изучается эффект линейной зарядовой связи пороговых напряжений нижнего (полевого) затвора $V_{\mathrm{th}}$, в качестве которого служила подложка структуры кремний-на-изоляторе, полностью обедняемых $n$-МДП транзисторов на слабо легированном слое кремния толщиной 20–50 нм, в зависимости от величины напряжения $V_{\mathrm{bg}}$ верхнего асимметрично смещенного (с отрицательной полярностью) $N^+$-poly-Si затвора. Показано, что квантово-механическая поправка, определяемая электростатически индуцированным размерным эффектом поперечного поля, должна учитываться при определении области линейной зарядовой связи между затворами даже при толщине слоя кремния $\sim$ 50 нм. Увеличение положительного заряда на поверхностных состояниях на гетерогранице со слоем кремния увеличивает величину квантово-механической поправки в 2–4 раза из-за эффекта квантовой емкости, влияющего на перезарядку донорных ловушек при большой разнице разнополярных потенциалов двух затворов.

Поступила в редакцию: 22.01.2014
Принята в печать: 03.02.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1312–1317

Реферативные базы данных:

•