А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Л. М. Капитанчук, В. Н. Шеремет, Ю. Н. Свешников, А. С. Пилипчук, “Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10,страницы 1344

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K

А. В. Саченко^a, А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, Р. В. Конакова^a, Л. М. Капитанчук^c, В. Н. Шеремет^a, Ю. Н. Свешников^d, А. С. Пилипчук^e

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
^b Государственное предприятие НИИ "Орион", 03057 Киев, Украина
^c Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины, 03068 Киев, Украина
^d ЗАО "Элма Малахит", 124460 Зеленоград, Москва, Россия
^e Институт физики НАН Украины, 03028 Киев, Украина

Аннотация: Экспериментально исследована и теоретически объяснена температурная зависимость удельного контактного сопротивления $\rho_c(T)$ омических контактов Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в диапазоне температур $T$ = 4.2–300 K. Показано, что в низкотемпературной области измерений (4.2–50 K) наблюдается участок насыщения $\rho_c(T)$. С повышением температуры величина $\rho_c$ уменьшается по экспоненциальному закону. Экспериментальная и расчетная зависимости $\rho_c(T)$ согласуются между собой. Полученные результаты позволяют сделать вывод о полевой природе токопереноса на участке насыщения $\rho_c(T)$ и термополевой – на экспоненциальном.

Поступила в редакцию: 21.10.2013
Принята в печать: 28.11.2013