Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода

И. Е. Тысченко^a, В. А. Володин^ab, В. В. Козловский^c, В. П. Попов<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы свойства пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода ($\sim$ 50 ат%) и отожженных под давлением 10.5 кбар. В исследованных пленках обнаружена высокая степень локализации оптического фонона, которая сохраняется до температуры отжига $\sim$ 1000$^\circ$C и объясняется формированием нанокристаллов кремния. Установлено, что энергия активации отжига структурной релаксации оборванных связей в пленках c большим содержанием водорода не зависит от величины давления при отжиге. Энергия активации роста кристаллической фазы, рассчитанная из спектров КРС, составляет $\sim$ 1.5 эВ и также не зависит от величины давления. Эффект гидростатического давления заключается лишь в уменьшении частотного фактора, лимитирующего перезамыкание Si–Si связей в процессе упорядочения.

Поступила в редакцию: 20.03.2014
Принята в печать: 28.04.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1303–1307

Реферативные базы данных:

•