Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния

А. А. Лебедев, В. В. Козловский

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проводится сравнение радиационной стойкости на примере карбида кремния и кремния. Показано, что одна из основных характеристик радиационной стойкости полупроводника – скорость удаления носителей $(V_d)$, в случае широкозонных полупроводников будет сильно зависеть от условий ее измерения. Сделан вывод, что сравнение величин $V_d$, полученных при комнатной температуре для Si и SiC, не является полностью корректным с физической точки зрения.

Поступила в редакцию: 18.03.2014
Принята в печать: 26.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1293–1295

Реферативные базы данных:

•