Эта публикация цитируется в 15 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле

Г. Гулямов^a, У. И. Эркабоев^a, Н. Ю. Шарибаев<sup>ab

a</sup> Наманганский инженерно-педагогический институт, 160103 Наманган, Узбекистан
^b Наманганский инженерно-технологический институт, 116008 Наманган, Узбекистан

Аннотация: Исследована зависимость плотности энергетических состояний $(N_s)$ от температуры в квантующем магнитном поле. Показано, что с ростом температуры за счет термического уширения размываются уровни Ландау, и $N_s$ превращаются в плотность состояний как в отсутствие магнитного поля. С помощью математической модели рассмотрена температурная зависимость распределения плотности энергетических состояний в сильных магнитных полях на полупроводниках. Показано, что сплошной спектр плотности состояний, измеренный при температуре жидкого азота, при низких температурах превращается в дискретные уровни Ландау. Математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений сплошного спектра плотности состояний дает возможность рассчитать дискретные уровни Ландау. С помощью предложенной модели исследованы экспериментальные результаты, полученные для PbS. Из высокотемпературной $N_s$ получены расчеты плотности состояний при низких температурах.

Поступила в редакцию: 25.12.2013
Принята в печать: 26.03.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:10, 1287–1292

Реферативные базы данных:

•