Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией

Д. А. Закгейм^ab, Г. В. Иткинсон^b, М. В. Кукушкин^b, Л. К. Марков^ab, О. В. Осипов^b, А. С. Павлюченко^a, И. П. Смирнова^ab, А. Е. Черняков^c, Д. А. Бауман<sup>d

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b ООО "НТС Инновации", 194223 Санкт-Петербург, Россия
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^d ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", 194156 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Сообщается о разработке и изготовлении мощного светодиодного флип-чип кристалла AlGaInN с новой топологией расположения контактных площадок. Использование двухуровневой схемы расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика позволило значительно повысить эффективность использования площади гетероструктуры (до 78%). Применение численного моделирования растекания тока при разработке топологии кристалла позволило достичь высокой однородности распределения тока накачки по площади активной области, а также низких значений дифференциального сопротивления (0.3 Ом). На основе разработанных кристаллов были изготовлены светодиоды с максимальным значением внешней квантовой эффективности 60% и выходной оптической мощностью 542 мВт при рабочем токе накачки 350 мА.

Поступила в редакцию: 27.12.2013
Принята в печать: 24.01.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1254–1259

Реферативные базы данных:

•