Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb

В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, Ф. Ю. Солдатенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована инициированная температурная деградация контактных систем Cr–Au, Cr–Au–Ag–Au, Ti–Pt–Au, Ti–Pt–Ag, осажденных на поверхность $p$-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что фотоэлектрические преобразователи с контактной сеткой на основе Ti–Pt–Ag характеризуются максимальной термической стабильностью. Фотоэлементы с золотосодержащими контактными композициями на основе Cr–Au и Ti–Pt–Au с ростом температуры имеют высокий темп деградации, что может потребовать при эксплуатации более эффективной системы теплоотвода.

Поступила в редакцию: 17.12.2013
Принята в печать: 25.12.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:9, 1248–1253

Реферативные базы данных:

•